微流控芯片的光刻工艺和产品特点说明

更新时间：2022-10-21

点击次数：3863

　　微流控芯片的光刻工艺：

　　光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造，工艺如下：

　　（a）仔细地将基片洗净；

　　（b）在干净的基片表面镀上一层阻挡层，例如铬、二氧化硅、氮化硅等；

　　（c）再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关，并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比；

　　（d）在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上，用紫外光照射涂有光刻胶的基片，光刻胶发生光化学反应；

　　（e）用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；

　　（f）烘干后，利用未曝光的光刻胶的保护作用，采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。

　　微流控芯片的产品特点：

　　提供真空环境，提高成功率

　　采用真空热压系统，可根据不同材料、不同芯片通道宽度、深度设定压力、温度、时间，以达到热压及键合要求。

　　控温准确，面内热分布均匀

　　设备使用恒温控制加热技术，实现温度精确控制；铝合金工作平台，上下面平整，热导速度快、热导均一。

　　适用于多种尺寸芯片加工，实验成本低

　　设备加热键合面积大，涵盖常用尺寸的微流控芯片。

　　参数精准可调

　　该设备可针对不同材料设置键合温度、压力与真空度，精准低偏差。

　　操作灵活简单，上手快

　　工作平台操作方式为上下芯片手工对准贴合，自动加压键合。

返回列表